Cas 409-21-2 Visoko čist silicijev karbidni prah nano SiC nanoprah in nanodelci

Silicijev karbid (SiC), znan tudi kot karborund, je spojina silicija in ogljika s kemijsko formulo SiC. V naravi se pojavlja kot izjemno redek mineral moissanit. Sintetični prah silicijevega karbida se množično proizvaja od leta 1893 za uporabo kot abraziv. Zrna silicijevega karbida se lahko s sintranjem povežejo in tvorijo zelo trdo keramiko, ki se pogosto uporablja v aplikacijah, ki zahtevajo visoko vzdržljivost, kot so avtomobilske zavore, avtomobilske sklopke in keramične plošče v neprebojnih jopičih. Elektronska uporaba silicijevega karbida, kot so svetleče diode (LED) in detektorji v zgodnjih radijskih sprejemnikih, je bila prvič predstavljena okoli leta 1907. SiC se uporablja v polprevodniških elektronskih napravah, ki delujejo pri visokih temperaturah ali visokih napetostih ali obojem. Velike monokristale silicijevega karbida je mogoče gojiti z Lelyjevo metodo; lahko jih razrežemo v dragulje, znane kot sintetični moissanit. Silicijev karbid z veliko površino je mogoče proizvesti iz SiO2, ki ga vsebuje rastlinski material.